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反應離子刻蝕機PlasmaStar 100

簡要描述:反應離子刻蝕機PlasmaStar 100儀器介紹
PlasmaSTAR®系列等離子處理系統適合處理所有的材料,擁有多種腔室和電極配置,可滿足不同的等離子工藝和基片尺寸。占地面積小,用于各種等離子工藝的模塊化腔室和電極配置。此外,觸摸屏計算機控制,多級程序控制和組件控制,操作簡單。PlasmaSTAR®模塊化腔室和電極組件是該系統的*功能。

  • 產品型號:PlasmaStar 100/100 RIE
  • 廠商性質:代理商
  • 更新時間:2023-11-12
  • 訪  問  量:3245

詳細介紹

腔室材料是硬質陽極氧化鋁, 有幾種不同的電極設計,包括用于反應離子刻蝕(RIE)和平面處理的水冷平板電極,用于表面清洗或處理的交替多層托盤電極,用于小化離子損傷的下游電極,和用于普通的圓柱形籠式電極。

1、腔體尺寸:直徑≥200mm,深度≥280mm;

2、腔體材質:硬質陽極氧化鋁矩形腔體;

3、處理腔背面材質:鋁;

4、處理腔門:要求全自動腔門;

5、兩路工藝氣體,≥2路質量流量控制器控制氣體流量,氣體輸入腔室帶勻流設計;

6、射頻功率:0~600W連續可調,13.56MHz,自動匹配,自然風冷;

7、配備RIE平面水冷平板電極;

8、7英寸及以上顯示器、觸摸屏、圖形用戶界面; 

9、程序控制:觸摸屏電腦控制,無線程序存儲;

10、Windows操作系統,兼容Windows office軟件,USB接口,可進行外部電腦遠程控制的功能;

11、狀態和出錯信息提示,過程數據和出錯信息存儲,可選擇自動和手動操作模式,過程數據可以導出,工藝參數以圖形方式呈現,可實時監控,自動實現泄露檢測;

12、配套緊急急停按鈕(EMO),配套電路斷路器,機械聯鎖(門傳感器)和真空聯鎖(壓力開關),通過軟件可進行遠程的真空聯鎖;

13、典型的光刻膠刻蝕速率:80nm/min;

14、典型工藝均勻性:≥±10%;

 

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